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      近一年来，DDR颗粒持续短缺已成为电子行业的常态挑战，作为深耕智能终端领域的芯片企业，瑞芯微持续推进多平台DDR颗粒适配工作，为客户提供灵活、高效的DDR适配思路与技术支持。
此前瑞芯微曾发布覆盖多SoC平台的《DDR验证配套工具集》，提供了从DDR焊接质量验证、软件眼图分析、到高负载稳定性测试等全流程验证支持，本期我们将继续为大家系统拆解瑞芯微 SoC 平台 DDR 适配全流程，搭配各阶段专属工具包，帮助客户在复杂的DDR供应环境中加速产品化进程、保持产品竞争力。

     一、核心逻辑：前期做扎实，后期少返工DDR的适配并非“贴上就能跑”的简单过程，而是一个涉及软硬件协同、多阶段验证的过程。瑞芯微基于长期项目调试过程与量产经验，提供如下验证方法与工具矩阵，助力客户“风险早规避、方案快落地”。尤其需要强调的是，流程前期（如物料评估、PCB 设计）是规避风险的关键窗口期，此阶段评估充分，可极大缩减后期的验证工作，提升整体开发效率。二、分阶段拆解：五步走通DDR适配全流程

    1. 物料评估：三条路径物料评估是适配的 “第一道防线”，能直接避免 “贴片不兼容颗粒”等问题，主要有三条验证路径：直接查询：查询官方支持列表，快速确认是否已有支持记录：AVL(Rockchip_DDR_Approved_Vendor_List)RVL(Rockchip_DDR_Reference_Vendor_List)交付 RK 验证：申请由瑞芯微实验室进行评估验证；客户自行验证：依据DDR 开发指南《Rockchip_Developer_Guide_DDR_CN》-> Chapter-3 DDR 颗粒验证流程说明自行测试；
针对“交付RK验证”和“客户自行验证”路径，务必先提交颗粒datasheet供RK进行评估，规避可能出现的不兼容情况，例如：不支持DDR4 x4bit；不支持 LPDDR4/LPDDR4X mixed package without support byte mode latency；某些平台无法提供 LPDDR4/4X的WDQS 功能；
     不同平台对 DDR 的支持能力存在差别，datasheet 评估只需提供手册文档（无需样品、开发板），即可快速判断SoC平台是否具备理论支持能力；能有效规避 “颗粒贴片后才发现不兼容” 的风险，甚至部分颗粒可以在早期识别出是否能够通过特殊配置实现支持、为后续适配预留技术窗口。

    2. PCB 制版：严格复刻模板，专业审核更稳妥PCB 制版阶段务必遵循：严格复制瑞芯微提供的参考模板（含特殊球位、4CS、eMCP、2x32bit、4x8bit 等容量组合的模板），阅读核心板重点设计说明文档备注信息；若客户需要自行布板，建议提交瑞芯微进行最终 PCB和仿真的 review，以提前识别潜在信号风险。注：往期的公众号已发布多平台多款差异化模板，欢迎在文末链接回溯查询。

    3. 开机阶段：工具上手、问题快速定位开机遇到故障，配套工具能够快速定位问题根源：焊接工具（DDR_UserTool）：排查虚焊、短路等焊接缺陷；软件眼图工具：评估高速信号质量，必须保证眼图结果为“all result: pass” 才能稳定工作，操作参考《Rockchip_Developer_Guide_DDR_CN》-> Chapter-4 Rockchip DDR DQ 眼图工具指南；DDR bin编辑工具（rk_ddrBin_tool_windows）：可调整DDR频率、驱动强度、ODT、VREF 等信号关键参数配置； rkbin内置额外辅助功能：max freq：辅助判断当前DDR与PCB 能稳定运行的最高频率；full space scan：DDR全空间扫描，辅助判断颗粒是否存在存储单元出错WDQS功能兼容方案：解决某些平台无法提供LPDDR4/4X WDQS 功能的限制disable ZQ check：解决部分颗粒RZQ校准失败问题导致的启动异常；降容支持：提供降容DDR的支持；

    4. 进系统 + 变频：参数可调，问题可查系统启动后若出现异常，可通过以下方法排查：在uboot下运行memtester或stressapptest，参考《Rockchip_Developer_Guide_DDR_CN》-> U-Boot 下运行 DDR 压力测试；也可通过改 DDR bin 工具（rk_ddrBin_tool_windows）对 DDR 降频，或调整驱动强度、ODT 等信号配置；排查是否与变频相关：可对DDR 定频（参考《Rockchip_Developer_Guide_DDR_CN》->DDR 如何定频），或用变频脚本做专项测试，脚本路径：“DDR 颗粒验证_DDR 测试资源文件.7z” –>android_ddr_test_files -> ddr_freq_scan.sh。

     5. 压力测试 + 极限验证：稳定性拉满，方法看这里工具选择：优先推荐使用stressapptest（压力更大），也可选用memtester，获取路径如下：stressapptest：“DDR 颗粒验证_DDR 测试资源文件.7z” –>       static_stressapptest；memtester：“DDR 颗粒验证_DDR 测试资源文件.7z” –>       static_memtester；Sleep 休眠与Reboot重启专项拷机测试：通过进入对应的测试模式，连续重启或模拟休眠唤醒场景来进行拷机测试。见《Rockchip_Developer_Guide_DDR_CN》-> Chapter-3 DDR 颗粒验证流程说明，在“Android系统reboot 拷机”和“Android系统 sleep 拷机”章节中介绍了如何进入对应的测试模式，并进行sleep和reboot拷机的方法。